Hazard:rf-heating(RF 致热 · Clause 8)
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Patents
- US10272252B2_Greatbatch ·
connector— 采用体侧生物相容金属导线与设备侧低成本导线在馈通绝缘体内通过钎焊连接的复合导电引线，降低铂使用成本。 - US10272253B2_Greatbatch ·
connector— 采用共烧复合填充（CRMC+纯铂）和体侧金钎焊引线，实现低电阻、高可靠气密封装。 - US10559409B2_Greatbatch ·
connector— 提供一种制造有源植入式医疗设备用无引线馈通介电体的方法，采用陶瓷增强金属复合材料(CRMC)和纯金属芯的多步共烧工艺。 - US10881867B2_Greatbatch ·
connector— 通过高固体含量(≥80%)铂浆填充通孔至少90%体积，控制共烧时氧化铝收缩率大于铂填充物收缩率(14-20%)，形成互锁(tortuous conformal)界面实现气密封装。 - US11351387B2_Greatbatch ·
connector— 通过在绿色陶瓷基板中形成通孔、填充铂导电膏、干燥、等静压压制后烧结，使导电膏与陶瓷紧密接触形成致密界面层，提高馈通密封性和可靠性。 - US9008778B2_Boston-Scientific ·
connector— 在植入式电刺激系统控制模块的header或连接器组件上设置导电屏蔽，减少MRI RF或磁场梯度感应电流引起的加热。 - US10046166B2_Greatbatch ·
filtering— 通过共烧高纯氧化铝与纯铂通孔，并在器件侧使用焊料或钎料将导电填充、电容内部金属化及导线一次连接形成三路电气连接，实现EMI滤波与MRI致热防护。 - US10080889B2_Greatbatch ·
filtering— 一种低电感和电阻的密封滤波馈通，通过将芯片电容的接地端直接连接到贵金属钎料或激光焊接的贵金属结构上，实现极低阻抗的接地回路，以高效分流MRI RF能量。 - US10183162B2_Greatbatch ·
filtering— 缠绕在植入导线外的绝缘闭合线圈，两端通过阻抗元件连接形成回路，通过磁耦合从导线中提取RF能量以降低远端过热风险。 - US10350421B2_Greatbatch ·
filtering— 在套筒设备侧表面形成口袋，放入金预成型件高温回流形成金口袋焊盘，该焊盘与密封金钎焊物理隔离，提供稳定抗氧化的接地连接。 - US11065455B2_Medtronic ·
filtering— 在导线中串联LC谐振电路，调谐到MRI RF频率使导线产生高阻抗，阻止感应电流流向组织 - US11071858B2_Greatbatch ·
filtering— 通过低ESR滤波电容将RF能量从远端电极转向AIMD外壳散热 - US11185705B2_Greatbatch ·
filtering— 一种RF开关与EMI滤波器电容器串联的电路，通过开关切换选择连接滤波器到地实现正常滤波，或断开滤波器以允许RF测试信号注入或避免高压脉冲浪涌电流。 - US11198014B2_Greatbatch ·
filtering— 采用纯铂填充通孔和改进的陶瓷-金属界面设计，通过增强密封和EMI滤波来防止MRI环境中的RF干扰和加热。 - US11202916B2_Greatbatch ·
filtering— 在馈通电容器或电路板的通孔内，用焊料将体侧导线和设备侧导线连接，并同时连接电容器内电极，形成低成本、高可靠性的EMI滤波馈通。 - US11406817B2_Greatbatch ·
filtering— 低ESR滤波电容器（k<1000）将MRI RF能量从导线分流至AIMD外壳，防止远端电极过热。 - US11633612B2_Greatbatch ·
filtering— 在钛法兰表面沉积耐氧化溅射层（如金）并覆盖导电胶条，防止钛氧化物在接地界面形成高阻层，保持EMI滤波器低等效串联电阻。 - US12017065B2_Greatbatch ·
filtering— 在AIMD钛或钛合金表面先去除自然氧化层，再沉积一层防氧化涂层（如金、铂等），以防止ESR随时间或热过程升高，从而保持EMI滤波器系统接地低阻抗。 - US20050070972A1_Medtronic ·
filtering— 高通滤波分流器在刺激频率时作开路、MRI频率时作短路，将导线感应RF能量分流至大表面积接地电极 - US20050288750A1_Medtronic ·
filtering— 谐振LC电路与MRI激励频率共振在导线上形成电流节点，阻挡高频感应电流传播 - US20050288751A1_Medtronic ·
filtering— 在导线中并联LC谐振电路调谐至MRI激励信号频率，在该频率下产生阻止作用减小射频感应电流 - US20050288752A1_Medtronic ·
filtering— 在导线上串联LC谐振电路，通过与MRI RF激励频率相匹配在共振处形成高阻抗，防止高频电流通过组织，减少RF加热 - US20050288753A1_Medtronic ·
filtering— LC共鸣电路作反天线阻止MRI RF感应电流 - US20050288754A1_Medtronic ·
filtering— 用调谐至MRI-RF频率(64-128MHz)的LC谐振电路作高阻抗滤波器,阻挡诱导电流,降低导线组织热伤害 - US20050288755A1_Medtronic ·
filtering— 谐振电路在MRI激励频率处形成高阻,减少导线感应电流,防止组织加热 - US20050288756A1_Medtronic ·
filtering— 在导线中串联调谐到MRI激励信号频率的LC谐振电路，阻挡感应电流以减少RF致热 - US20050288757A1_Medtronic ·
filtering— 使用频率选择性谐振电路（LC）阻断MRI激励信号感应导线电流，保护末端组织 - US20070168003A1_Medtronic ·
filtering— Lead内串联LC谐振电路,频率调谐至MRI激励信号频率(如1.5T时63.86MHz),形成anti-antenna device阻挡RF诱发电流,distal placement时tissue温升显著降低 - US20070168005A1_Medtronic ·
filtering— 通过在导线中加入与MRI激励频率共振的LC电路产生高阻抗，阻止RF诱导电流，减少组织热损伤和起搏功能失效 - US20070168006A1_Medtronic ·
filtering— 在植入导线上串联谐振LC电路（反天线装置）阻挡MRI激励频率诱导的电流，减少组织热伤害 - US20070173911A1_Medtronic ·
filtering— 在双极起搏导线中串联谐振频率可调的LC电路,形成’反天线’特性阻止MRI射频诱导电流 - US20110137390A1_Medtronic ·
filtering— 压电变压器通过音频隙隔离MRI干扰信号，同时允许治疗和生理信号通过，关键是不调谐到MRI频率（1.5T/3T的64/128 MHz） - US20110270362A1_Medtronic ·
filtering— 在导线中嵌入主动电路卫星(active circuit satellites)，集成电源电路将MRI/EMI干扰能量整流为直流/交流电源，驱动串/并滤波电路自主执行保护动作，无需消耗IMD电池 - US20120165912A1_Medtronic ·
filtering— 用并联 LC 谐振电路调谐至 MRI RF 频率在导线上实现带阻滤波，阻挡诱导电流 - US20220096832A1_Medtronic ·
filtering— 通过MRI状态检测动态调整互连电路阻抗，MRI模式下并联补充电容降低阻抗减少RF致热，正常模式下高阻抗提升能效和感应质量 - US6675033B1_Boston-Scientific ·
filtering— MRI导丝探头采用多层屏蔽、balun电路和绝缘层减少RF感应电流和Ohmic加热，同时提高信噪比和MRI可视化 - US6925328B2_Medtronic ·
filtering— 平行谐振电路在Larmor频率处高阻抗开路，阻断RF诱导电流进入装置和导线 - US6985775B2_Medtronic ·
filtering— 在弃用导线末端加端盖集成LC滤波和多电极，选择性分流MRI诱导高频电流至多个接地电极以分散加热，同时阻止低频设备脉冲 - US7013180B2_Medtronic ·
filtering— 在导线近端、中部或远端缠绕线圈，形成电感-电容并联谐振网络，对RF信号呈现高阻抗，从而滤波耦合的RF电流 - US7174219B2_Medtronic ·
filtering— 在刺激导线远端设置大面积浮置电极（导电网格），通过高通/带通滤波器连接治疗电极，将MRI RF电流分流至浮置电极避免局部过热。 - US7489495B2_Greatbatch ·
filtering— 在馈通终端组件的绝缘体中嵌入含磁性偶极子的导电板形成内部磁屏蔽，并在外围添加导电磁屏蔽套/帽，结合损耗铁氧体电感器，构成T形/LL形滤波器，提高导线阻抗以衰减MRI脉冲RF场，并保护磁性元件免于饱和。 - US7671594B2_Medtronic ·
filtering— 通过补偿电路提供补偿电压，使远端滤波电路能有效阻断MRI变化磁场在导线中感应的电流，防止其经电极进入组织。 - US7702387B2_Greatbatch ·
filtering— 在导线或电极中集成并联LC谐振电路（tank filter），在MRI RF频率（如64MHz或128MHz）处呈高阻抗，从而阻断RF电流、减少远端加热。 - US7742825B2_Medtronic ·
filtering— 通过添加反向感应线圈、Balun、滤波器或主动电压补偿电路来抵消或抑制MRI梯度场和RF场在导线中感应的电压和电流。 - US7751903B2_Greatbatch ·
filtering— 通过频率选择性被动元件网络（低通滤波器或LC陷波滤波器）将MRI RF感应能量从导线转移至距电极一定距离的能量耗散表面（EDS），以分散热量并避免电极-组织界面过热。 - US7765005B2_Greatbatch ·
filtering— 利用多引线穿过共用损耗铁氧体电感器，通过引线信号相位抵消减少磁芯饱和，提高引线阻抗以降低MRI RF感应电流。 - US7848788B2_Boston-Scientific ·
filtering— 采用屏蔽层和调谐balun电路减少MRI RF脉冲传输过程中探头上的感应电流，从而降低欧姆加热风险。 - US7853324B2_Greatbatch ·
filtering— TANK滤波器（并联LC）串联入AMD导线，利用低k材料，在MRI RF频率（如64MHz/128MHz）处形成高阻抗，阻止电流流过。 - US7899551B2_Greatbatch ·
filtering— 在导线中串联并联LC谐振电路，在MRI RF频率处呈现高阻抗，阻断感应电流，减少远端电极加热。 - US7912552B2_Medtronic ·
filtering— 在导线近端设置与组织特征阻抗匹配的被动有损电路，耗散RF感应波的入射能量，减少反射回电极的功率。 - US8145324B1_Greatbatch ·
filtering— 利用导线线圈的自感与匝间寄生电容形成并联谐振，在MRI RF频率呈现高阻抗。 - US8155760B2_Greatbatch ·
filtering— LC并联带阻滤波器串联于导线中，在MRI RF频率下呈现高阻抗，阻断RF电流流向电极 - US8219208B2_Greatbatch ·
filtering— 通过频率选择性无源网络（低通滤波器或串联LC陷波器）将MRI RF能量从导线转移至AIMD外壳进行耗散。 - US8224462B2_Greatbatch ·
filtering— 带阻滤波器（并联LC谐振于MRI RF频率）串联于导线，提供高阻抗以衰减RF电流。 - US8244373B1_Greatbatch ·
filtering— 负载承载体通过扭矩耦合器将导线的扭转和拉伸载荷从电子元件传递到外壳，保护谐振滤波器等电子元件。 - US8301243B2_Greatbatch ·
filtering— 并联LC谐振TANK滤波器串联于导线中，在MRI RF频率（如64/128 MHz）呈现高阻抗，阻断RF电流，降低组织加热。 - US8326435B2_Greatbatch ·
filtering— RFID标签与植入式导线系统关联，存储带阻滤波器信息以指示MRI兼容性。 - US8412351B2_Medtronic ·
filtering— 在导线远端设置带绝缘层的环电极，通过电容耦合在RF频率下形成低阻抗分流路径，将感应电流从尖端电极转移至更大面积的环电极，减少尖端加热。 - US8422195B2_Greatbatch ·
filtering— 通过EMI屏蔽导管和扁平馈通电容器将RF电流导引至AIMD壳体，减少末端电极发热 - US8463375B2_Greatbatch ·
filtering— 使用并联LC谐振TANK滤波器串联在导线中，在MRI射频频率（如64MHz/128MHz）处呈现高阻抗，减少导线电流和加热。 - US8483840B2_Greatbatch ·
filtering— 将L-C低通滤波器的第一电感与第一电容同时作为串联谐振陷波器，在MRI RF频率处呈低阻抗路径，将引线感应电流导向外壳耗散。 - US8509913B2_Greatbatch ·
filtering— 利用开关控制的频率选择性分流电路（L-C陷阱滤波器、低通滤波器），将MRI射频脉冲感应到导线上的高频能量转移到能量耗散表面（如AIMD外壳或独立散热结构），避免远端电极处过热。 - US8527046B2_Medtronic ·
filtering— 通过光激活并联谐振电路，在MRI射频脉冲期间断开心脏辅助装置与导线/电极的连接，以阻断感应电流。 - US8600519B2_Greatbatch ·
filtering— 在植入导线中与电子电路并联瞬态电压抑制器（TVS），将除颤/ICD高压浪涌电流旁路，保护电子电路免受过电流损坏 - US8612021B2_Medtronic ·
filtering— 通过绕制具有两层绝缘层的导体形成LC谐振滤波器，在MRI射频频率呈现高阻抗，阻断导线感应电流。 - US8649842B2_Boston-Scientific ·
filtering— 在导线中插入多个屏蔽RF扼流圈，将导线分割成短于1/4MRI波长的段，阻止RF电流并允许低频刺激信号通过，减少MRI射频加热。 - US8761886B2_Medtronic ·
filtering— 通过选择第一组件的寄生电感和第二组件的电抗，使沿导线反射的能量低于选定阈值，以减少电磁场导致的发热效应。 - US8849423B2_Medtronic ·
filtering— 多层自愈介质与导电环形成频率选择性电容滤波器，阻挡MRI干扰同时允许除颤脉冲通过 - US8855768B1_Greatbatch ·
filtering— 采用低介电常数（≤200）和低介质损耗的陶瓷电容器，通过增加电极板数量（≥10）使等效串联电阻（ESR）在MRI频率下降至0.1欧姆以下，从而高效分流RF感应能量至AIMD外壳。 - US8855785B1_Greatbatch ·
filtering— 利用PIN二极管等非线性开关元件，将植入导线上感应的高频能量分流至能量耗散表面，从而减少远端电极处的热量积累。 - US8868189B2_Greatbatch ·
filtering— 屏蔽三端平面穿透EMI滤波器，通过主动电极板夹持在接地屏蔽板之间形成平板电容，实现宽带滤波并防止RF交叉耦合，用于AIMD的MRI安全。 - US8868212B2_Medtronic ·
filtering— 在导线中串联谐振电路（LC），使其谐振频率等于MRI射频激发频率，从而高阻抗阻挡RF感应电流，减少远端组织加热。 - US8903505B2_Greatbatch ·
filtering— 利用导联导体线圈的寄生电容与电感形成并联LC带阻滤波器，在MRI RF脉冲频率处呈现高阻抗，阻断RF电流流经远端电极。 - US8918189B2_Greatbatch ·
filtering— 在植入导线中设置由自谐振电感（线圈寄生电容形成并联谐振）和电磁屏蔽构成的带阻滤波器，屏蔽导致电感值偏移（实测偏移约13%，导致谐振频率偏移4.3 MHz），通过预先调整电感的第一值使屏蔽后得到正确的第二值，实现谐振于MRI射频频率。 - US8954151B2_Boston-Scientific ·
filtering— 通过非导电垫片抬高陶瓷块或采用带边沿的陶瓷块，增加馈通引脚与金属壳体的距离，降低寄生电容，从而减少MRI RF耦合电流。 - US9002471B2_Greatbatch ·
filtering— 一种MRI兼容植入式导线，通过独立驱动开关选择性地将带阻滤波器与特定治疗电极串联，在MRI期间断开该电极以阻止感应电流流入组织。 - US9008799B2_Greatbatch ·
filtering— 使用自谐振电感（含寄生电容）构成LC并联带阻滤波器，在MRI RF频率谐振，提供高阻抗，阻断电流，防止过热。 - US9037258B2_Greatbatch ·
filtering— 通过开关和分流电路将MRI诱导的高频能量从植入导线转移到能量耗散表面（如AIMD外壳），减少远端电极处发热。 - US9042999B2_Greatbatch ·
filtering— RF遥测针上并联LC谐振电路，谐振于MRI频率时呈高阻抗，阻止该频率信号进入设备内部。 - US9061139B2_Greatbatch ·
filtering— 在植入导线中串联并联LC谐振回路（TANK滤波器），谐振于MRI RF频率（如64MHz或128MHz），利用高阻抗阻断感应电流，并使用非铁磁材料避免伪影和磁力。 - US9071221B1_Greatbatch ·
filtering— 复合RF电流衰减器包括与导线导体串联的并联LC带阻滤波器和串联电感低通滤波器，在MRI RF频率提供高阻抗以衰减诱导电流。 - US9084380B2_Boston-Scientific ·
filtering— 在刺激器控制模块的馈通外壳与内部电子组件之间设置RF分流组件，由多个电容和/或电感构成低阻抗路径，将MRI诱导的RF电流通过馈通外壳接地至外壳导电部分，从而保护内部电子电路。 - US9119968B2_Greatbatch ·
filtering— 一种并联LC带阻滤波器串联在AMD导线上，电容电感值被选择在MRI RF脉冲频率（如64MHz或128MHz）谐振，形成高阻抗阻止RF电流，从而减少远端电极加热。 - US9126037B2_Medtronic ·
filtering— 在导线与电极间串联由绝缘导线绕制的电感线圈，增加回路高频阻抗，衰减RF感应电流。 - US9155877B2_Medtronic ·
filtering— 在电极内集成电感线圈作为RF扼流圈，增加导线在高频下的阻抗，减少RF感应电流引起的电极加热。 - US9233253B2_Greatbatch ·
filtering— 采用共烧高纯氧化铝与纯铂填充通孔形成气密馈通，并集成EMI滤波电容器和带阻滤波器，用于抑制MRI射频干扰进入AIMD内部。 - US9248283B2_Greatbatch ·
filtering— 在导线与电极之间串联一个并联LC谐振回路（band stop filter），其谐振频率设定为MRI RF脉冲频率（如64 MHz或128 MHz），在该频率处呈现高阻抗，从而阻断电流流动。 - US9251960B2_Greatbatch ·
filtering— 双级EMI滤波器：低介电常数（<10）氧化铝陶瓷基板内嵌交错有源/接地电极形成馈通电容器，配合高介电常数（>1000）的MLCC芯片电容器，在宽频段衰减MRI环境中RF耦合电流。 - US9433782B2_Boston-Scientific ·
filtering— 在IPG的电极端子与外壳之间串联电感，利用电感对高频RF电流的高阻抗特性，阻止MRI RF感应电流分流到外壳，从而减少囊袋组织加热。 - US9463329B2_Greatbatch ·
filtering— 通过屏蔽三端扁平通电容（active electrode plate夹于ground shield plates间）与纯铂填充共烧馈通组合，构建宽频带低通滤波器，对MRI射频能量（64/128 MHz）提供额外10–20 dB衰减。 - US9468750B2_Greatbatch ·
filtering— 多层螺旋波滤波器通过同向绕制第一和第二螺旋电感段，利用层间和匝间寄生电容形成自谐振，在MRI RF频率下呈现高阻抗（>1 kΩ），阻止感应电流流向电极。 - US9630000B2_Boston-Scientific ·
filtering— 通过导体在长度方向上双向反复缠绕形成多层堆叠线圈，使前向段与反向段感应的共模电流相互抵消，同时线圈提供高阻抗，从而抑制RF感应电流。 - US9827415B2_Greatbatch ·
filtering— 多层螺旋电感器利用层间和匝间寄生电容形成自谐振，在MRI RF频率（如64/128MHz）呈现高阻抗，阻断RF电流流入组织。 - US9889306B2_Greatbatch ·
filtering— 通过共烧高纯度铂浆填充通孔和导电嵌件，利用陶瓷收缩大于金属产生压封形成曲面互锁密封，降低电阻。 - US9958515B2_Medtronic ·
filtering— 根据检测到的MRI扫描仪类型（1.5T或3.0T），选择对应的暴露操作模式，通过配置不同频率的滤波器（64MHz或128MHz）来抑制RF能量，减少对植入设备的干扰和加热。 - US9999764B2_Medtronic ·
filtering— 在导线内置调谐LC/RLC谐振电路形成反天线，高阻抗阻止MRI RF诱导的电流通过组织 - AU2008299049B2_MED-EL ·
housing— 陶瓷冲击保护器替代金属板，减少MRI磁化率伪影和降低金属体积/热容量以减少RF致热 - AU2012202469B2_MED-EL ·
housing— 陶瓷冲击保护器减少MRI磁化率伪影和RF致热，与AU2008299049B2为同一技术延续 - US7047074B2_Medtronic ·
housing— 利用光纤引线传输信号和能量，避免导电引线在MRI中感应电流和加热，同时通过外壳屏蔽和EMI检测切换为异步模式来保障安全。 - US7801613B2_Medtronic ·
housing— 采用高电阻率钛合金（>100 µΩ·cm）通过金属注射成型制造外壳，并选择性化学减薄至0.008-0.012英寸以降低涡流损耗，从而减少MRI射频加热。 - US8401648B2_Medtronic ·
housing— 通过减少外壳中可形成涡流的导电材料质量来降低MRI加热效应 - US8532783B2_MED-EL ·
housing— 采用陶瓷材料冲击保护罩替代金属，减少MRI磁化率伪影和RF致热风险 - US9119967B2_Boston-Scientific ·
housing— 在IPG外壳上或内部放置线圈，短接或有源驱动产生反向磁通，抵消外壳中的涡流以减少RF致热。 - US9549688B2_Medtronic ·
lead-identification— 通过在 MRI 静磁场下读取植入设备 telemetry 信号检测 IMD 存在，并自动控制 MRI 系统改变扫描参数或中止扫描 - US10092748B2_Medtronic ·
lead-shielding— 应力释放环的 body segment 覆盖导线自交点,用热非导体隔离或热导体分散 RF 诱导在交点处的过度加热 - US10173055B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 采用连续导电RF屏蔽，第一部分沿导线延伸，第二部分形成围绕控制模块外壳的周向带，或通过在非导电护套上开窗暴露屏蔽层以耗散感应电流。 - US10384050B2_Medtronic ·
lead-shielding— 用碳纳米管/金属混合导体替代纯金属，利用碳纳米管的热导特性，在 1.5T MRI 下将环状电极加热降低 50%-80% - US10391307B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 导体多次折返（turn back on itself）形成前后向段，利用共模电流反向抵消抑制RF加热 - US10413721B2_Medtronic ·
lead-shielding— 用导电屏蔽（编织层）包裹导线内导体，屏蔽连接到大面积电极（第一除颤电极），使 MRI 诱导电流优先流向面积大的电极散热，保护尖端电极 - US10537730B2_Medtronic ·
lead-shielding— 碳纤维屏蔽导线可使MRI导致的RF诱导组织加热温升降低约5倍 - US11173300B2_Medtronic ·
lead-shielding— 配对导线采用不同编织屏蔽参数（密度/角度/线数/材料），相邻铺设通过破坏性干涉降低RF诱导加热 - US11452877B2_Medtronic ·
lead-shielding— 屏蔽层减少到达电导体的RF能量，进而减少耦合到电导体的电流和电极处加热 - US11534607B2_Medtronic ·
lead-shielding— 导线屏蔽层通过减弱RF能量耦合来降低电极加热至可接受水平 - US11612738B2_Medtronic ·
lead-shielding— 将导体部分嵌入导线本体、使本体材料填满 RF 屏蔽与导体间空隙以杜绝体液积聚,抑制二者电容耦合,从而限制 MRI RF 场下电极升温。 - US11642519B2_Medtronic ·
lead-shielding— 导线屏蔽采用含纳米级导电填料(碳纳米纤维/碳纳米管/纳米金属)的聚合物复合材料,以减弱MRI电磁辐射耦合 - US11672976B2_Saluda ·
lead-shielding— 在导线体内加入高阻诱饵导体（decoy conductor）与导电线缆电磁耦合，耗散MRI RF感应能量。 - US12409320B2_Medtronic ·
lead-shielding— 屏蔽罩通过多种接头方式和接地配置控制终止位置，减少MRI中的RF诱导加热和梯度诱导刺激 - US12551697B2_Saluda ·
lead-shielding— 导线间容性-阻性耗散网络高通滤波RF信号,减少MRI时加热 - US20030144719A1_Medtronic ·
lead-shielding— 屏蔽导线通过反向天线效应吸收RF能量，耗散到体内而不进入电极导线，减少RF致热 - US20070179582A1_Medtronic ·
lead-shielding— ICD导线采用双股线圈+聚合物压缩护套,通过增加导线感应(≥1.5μH)提高RF兼容性,同时护套约束保持扭矩传输能力 - US20070299490A1_Medtronic ·
lead-shielding— 用大面积导电套头环绕电极、加绝缘涂层，在 MRI 频率下充当高通滤波器分流 RF 能量防止电极尖端加热 - US20120197366A1_Medtronic ·
lead-shielding— 混入高介电常数填料改变护套介电常数，调节导线特征阻抗，使MRI RF诱导的能量在远端反射而非被组织吸收 - US20120253437A1_Medtronic ·
lead-shielding— 能量耗散结构呈现高频低阻抗特性，MRI频率下分流≥80%感应电流同时保留<5%低频疗法信号 - US20120253438A1_Medtronic ·
lead-shielding— 通过弹簧夹片耦合，将 RF 诱导电流分流到能量耗散结构（大表面积、控制阻抗），降低尖端电极加热 - US20120253439A1_Medtronic ·
lead-shielding— 通过弹簧夹耦合机制将 RF 感应电流从电极分流到能量耗散结构，减少电极处加热 - US6799067B2_Abbott ·
lead-shielding— 非导电近端+非磁性远端+长度限制(L<43.5/B0)避免RF诱导加热 - US7194297B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 利用交替导电和介电层构成的阻抗匹配电路以及导电聚合物屏蔽的同轴扼流圈，限制MRI射频信号在血管内导体上感应的电流，从而降低发热。 - US7450996B2_Medtronic ·
lead-shielding— 使用反天线几何形状的导电构件，使RF场在其中感应的电流与医疗设备中感应的电流相抵消，从而降低RF加热风险。 - US7839146B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过将导线线圈分段为轴向绕制和垂直绕制交替布置，利用Lenz定律生成反向电动势来抵消MRI梯度场感应的电流。 - US8041433B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过拉伸导线弹簧线圈形成预定间距，调整寄生电容和电感，使自谐振频率接近MRI射频频率，从而表现为高阻抗电感，减少RF感应电流和温升。 - US8095224B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 通过EMI屏蔽导管将馈通端子到电路板的导线全面屏蔽，并连接壳体地，防止EMI再辐射；结合短接开关可在MRI时将导线RF能量引至壳体散逸。 - US8108028B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 利用MRI兼容的多同心管套管与可滑动天线构件组成loopless接收天线，配合RF去耦和分路电路实现深部脑成像与电生理记录。 - US8175700B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 通过将电感和电容元件物理串联但电气并联构成带阻滤波器，谐振于MRI射频脉冲频率，在植入导线上呈现高阻抗，从而降低射频感应电流及其造成的组织加热。 - US8239041B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 多层螺旋波滤波器，通过内外层同向螺旋线圈及层间介质形成并联谐振，在MRI RF频率提供高阻抗以阻断电流。 - US8260435B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 通过将电感器的磁轴与屏蔽外壳的纵轴正交定向（70°-110°），最小化屏蔽中的涡流损耗，减少电感偏移和能量损失，使带阻滤波器精确谐振于MRI射频频率。 - US8323768B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过将导电材料分段或开孔形成多层屏蔽，限制涡流并衰减RF辐射，孔径尺寸0.01-10毫米。 - US8364286B2_Medtronic ·
lead-shielding— 在神经刺激导线外套内嵌入导电屏蔽层（金属丝、编织层或涂层），通过组织接触或薄绝缘层传导RF能量，降低内部导体的电磁耦合和电极温升。 - US8442647B2_St.-Jude ·
lead-shielding— 使用具有导电芯、绝缘层和导电屏蔽层的复合导线紧密绕制成线圈，屏蔽层相互接触形成轴向导电通路，使感应电流方向与信号方向几乎垂直，从而减少耦合。 - US8442651B2_Medtronic ·
lead-shielding— 使用自愈合材料（如钽/钽氧化物）构成电容器，当绝缘层受损时，通过氧化/阳极氧化修复电介质层，维持MRI分流性能。 - US8485992B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 通过将导丝分成多个短导电段并用低电导率接头连接，使每个段长度小于MRI射频半波长，从而抑制RF共振加热 - US8521307B2_St.-Jude ·
lead-shielding— 将机械旋转功能（内管）与电传导功能（外部独立绝缘线圈）分离，线圈对高频呈现高阻抗，且通过滑动接触保持与螺旋电极的电连接。 - US8712544B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 在植入式导联中的电感或带阻滤波器周围加上电磁屏蔽，电感值会因屏蔽而偏移，需调整初始电感值以补偿该偏移。 - US8788061B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过对接、斜接、搭接等绝缘层接头以及内外金属夹层固定屏蔽层末端，防止其散开或迁移。 - US8818526B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 在植入式导线管腔中设置安全元件，通过主动冷却、分流RF感应电流或改变天线特性，降低MRI射频照射引起的导线末端组织加热 - US8825180B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过同轴多导体线圈实现≥1.5μH电感，利用SI-polyimide薄绝缘减小节距，减少RF场中电极加热。 - US8849403B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 在植入导线外部设置EMI屏蔽层，该屏蔽层近端旁路穿过馈通直接分流到AIMD导电外壳，可结合分流电路（电容/LC陷波）将RF能量引至屏蔽层，或串联带阻滤波器提高导线高频阻抗，从而减少远端电极的RF电流和发热。 - US8849417B2_Medtronic ·
lead-shielding— 双环电极（容抗耦合）在 MRI 频率下增加有效表面积，降低 RF 感应电流密度 - US8948843B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过使导线电阻率沿长度非均匀，远端高阻、近端低阻，减少MRI诱导电流密度集中导致的组织加热。 - US8989840B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过匹配器件阻抗与导联特征阻抗，降低 MRI 环境中 RF 诱发导联加热 - US9014815B2_Medtronic ·
lead-shielding— 导电耦合器与第二电极间绝缘层形成电容耦合，高频时低阻抗将感应电流从第一电极转移到第二电极。 - US9020610B2_Medtronic ·
lead-shielding— 利用与尖端电极并联的分流电极（导电材料外覆绝缘层形成电容）在高频下低阻抗分流大部分RF感应电流，利用其大面积散热，降低组织加热。 - US9031670B2_Greatbatch ·
lead-shielding— 通过电磁屏蔽包围植入导线中的电感组件，并预先调整电感值以补偿屏蔽引起的电感偏移，使LC带阻滤波器在MRI RF频率处保持准确谐振，从而减少RF电流导致的组织过热。 - US9061132B1_Greatbatch ·
lead-shielding— 将导体或导线围绕植入式医疗设备外壳进行特定布局（如周向、纵向或赤道向），改变RF感应电流路径，从而减少电极处的RF致热。 - US9089695B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过远端能量散耗结构创建并联低阻路径，在高频下将 RF 感应电流分流至大面积导体以减少电极致热 - US9126031B2_Medtronic ·
lead-shielding— 利用与电极轴非导电耦合（电容/热耦合）的导电套头（sleeve head）在高频下分流大部分感应电流，利用其大面积散热。 - US9149633B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过在导线、内绝缘层或外绝缘层上设置多个非标准间隔的阻抗不连续点（尺寸/材料变化或分立元件），反射并耗散RF能量。 - US9259572B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过集成导电体在 MRI 环境中屏蔽电磁场、减少能量到达导线进而降低加热 - US9289604B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过高阻抗设计（DC电阻+频率相关电感）限制 MRI 工作频率下的 RF 诱导电流 - US9295829B2_Medtronic ·
lead-shielding— 在导线体上预成型强迫应变释放环，使导线体在环被扰动时施加恢复力以自动重新形成环，从而减少RF加热 - US9302101B2_Medtronic ·
lead-shielding— 通过在导线护套中掺入介电材料、设置孔隙或嵌入螺旋线圈，形成沿导线分布的导电路径，将感应RF能量从内部导体分流到患者组织 - US9409008B2_Medtronic ·
lead-shielding— 采用低弹性模量生物相容β钛合金替代MP35N制作导线，降低磁共振成像射频加热风险，提升疲劳寿命并减小弯曲半径。 - US9421359B2_Medtronic ·
lead-shielding— 导电屏蔽层部分被绝缘层覆盖，暴露部分作为刺激返回电极，绝缘层在神经刺激频率高阻抗、在MR频率低阻抗 - US9517341B2_Medtronic ·
lead-shielding— 二级环形电极通过电容耦合使 MRI 频率下有效表面积增大，降低电流密度，减少 RF 感应加热 - US9782581B2_Boston-Scientific ·
lead-shielding— 在隧道鞘内设置导电编织或螺旋RF屏蔽，沿导线或延伸部分覆盖，减少MRI RF引起的感应电流和加热。 - US9901731B2_Medtronic ·
lead-shielding— 用非导电磁性中心芯（如液晶聚合物）替代金属直芯，在其上缠绕多股无绝缘线圈，形成“coible”结构，使导线电感提升至0.5 µH以上，抑制MRI RF场的共振激励。 - US10279186B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 自动化兼容性验证系统，通过多源数据采集和分析确认AIMD与MRI设备兼容性并配置安全模式 - US10493286B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 根据既往起搏特征自动确定MRI暴露模式参数,切换为无感知反应的异步起搏以降低导线诱导的热伤害与功能障碍。 - US10980996B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 双执行器磁控开关被MRI静磁场任意方向被动激活，自动断开导线电路形成高阻抗隔离RF电流 - US11691005B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— IMD 在 MRI mode 下利用现有 LFP 传感功能检测导线感应电压，作为 RF 加热标记，实时预测电极温度并调整 MRI 扫描参数 - US12053625B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 在导线中的电极近端集成温度传感器，监测 MRI 扫描期间的电极-组织界面温度，超阈值时触发动作以限制 RF 诱导加热。 - US12274884B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— IMD 根据患者过往一段时间的生理参数和治疗模式自动确定 MRI 暴露模式的最优参数，在检测到强磁场时自动切换或向医生推荐，避免导线诱导能量干扰。 - US20060167496A1_Medtronic ·
mri-mode-switching— 通过双工作模式（正常/MRI暴露）与参数重编程（异步起搏、禁诊断）使IMD在MRI环境中安全工作 - US20060293591A1_Medtronic ·
mri-mode-switching— MRI field detection circuitry监测telemetry antenna和lead voltage诱发值,同时满足阈值时生成MRI detection signal,触发safeguard response(告警/模式切换/capture test) - US20100198311A1_Medtronic ·
mri-mode-switching— MRI扫描期间通过开关将导线的尖端电极和环形电极与IPG断开（约95%时间），仅在5%时间短暂重新连接传递疗法，以减少有效导线长度和感应加热 - US6209764B1_Medtronic ·
mri-mode-switching— MRI等强电磁场下自动打开导线-脉冲发生器回路、引入高阻抗截断诱导电流 - US6348070B1_MED-EL ·
mri-mode-switching— 三线圈抗干扰系统：双线圈反平行绕制消除MRI均匀RF场感应电压；干簧管并联于接收器平面提供过压保护；双磁铁反平行磁矩抵消B0扭矩；可旋转磁铁自动对齐外磁场 - US7941225B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 磁致伸缩元件在MRI磁场下膨胀，在电极轴段间形成间隙，断开直接电连接，将RF感应电流分流至射频陷阱或大表面积电极。 - US7941226B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 磁致伸缩元件膨胀后使电极轴接触大表面积第二电极，将RF感应电流通过更大面积耗散。 - US8121705B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 采用自愈合介电材料或铁磁滑动触点，在MRI环境下隔离电极与导电路径，防止感应能量传导至患者。 - US8219207B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 在导线电极处集成热敏开关，当组织温度超40°C时物理断开外环与内环连接，阻止RF能量在电极处耗散。 - US8332045B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 基于外部场传感器检测MRI环境，控制开关将起搏治疗从尖端电极切换到表面积更大的环电极，从而减小导线有效长度以降低RF感应电流和尖端发热。 - US8825172B2_Boston-Scientific ·
mri-mode-switching— 通过在MRI模式下反复获取电极阻抗或场电位测量值，检测电极缺陷或组织耦合效率变化，并据此执行报警或调整刺激参数，以降低RF加热风险。 - US9205268B2_Medtronic ·
mri-mode-switching— 器械由磁场强度 + RF 频率(64MHz↔1.5T / 128MHz↔3.0T)区分 MRI 类型,据型在各电极切入对应频率的陷波滤波器(吸收式可兼降电极致热),并在暴露期改写内存中正常模式参数(起搏幅度/脉宽/感知灵敏度)以补偿阈值漂移。 - US10130282B2_Medtronic ·
other— 外部设备通过多项验证检查(器械/导线型号、导线完整性、安全模式、路由放置、MRI参数)确认植入系统是否安全进行MRI扫描 - US11701159B2_Medtronic ·
other— 采用非铁磁拉动纤维和光纤传感系统消除RF致热和图像伪影 - US7551953B2_Boston-Scientific ·
other— 将镍钛诺针管构造为偶极子天线，通过屏蔽层和巴伦电路实现MRI信号接收与主动跟踪。 - US8936630B2_Medtronic ·
other— 采用光遗传学光学刺激代替电刺激，利用光纤非导电特性避免MRI引起的感应电流和加热。 - EP2966463A1_MED-EL ·
rectifier-isolation— MRI期间通过植入或外部电源电路为半导体输出级提供电源电压，使其保持高阻抗状态，避免RF信号整流导致电极加热和误刺激 - US7865247B2_Medtronic ·
rectifier-isolation— 利用引线远端串联的电流限制二极管（可配置反向击穿电压），在允许治疗脉冲通过的同时，将感应电流限制在恒定值以下。 - US8768486B2_Medtronic ·
rectifier-isolation— 通过二极管/齐纳二极管的单向导电性和击穿电压特性，允许治疗脉冲通过而阻断MRI感应电流。 - AU2011247825B2_MED-EL ·
rotatable-magnet— 采用可自由旋转的球形磁体和反并联线圈设计，使换能器在MRI任意方向B0场中无扭矩、不退磁，且RF感应电压相互抵消为零 - EP2824943B1_MED-EL ·
rotatable-magnet— 球形磁体可自由旋转对齐任意方向B0场消除扭矩和退磁，反并联线圈抵消RF感应电压，与AU2011247825B2为同一专利家族 - US11458321B2_Medtronic ·
wpt-alignment— 改变线圈耦合方式使其反向串联，某些线圈感应的电流被其他线圈感应的电流所抵消 - US20170333713A1_MED-EL ·
wpt-alignment— 耳道感应线圈布置：发射线圈置于耳道内、接收线圈植入耳廓软骨后/耳道骨壁皮肤下，无保持磁铁，利用小线圈间距和特定取向降低MRI RF感应电压及伪影 - US8442644B2_Greatbatch ·
wpt-alignment— 卫星脑刺激模块植入颅骨，通过RF无线通信接收控制指令，无需从胸廓至脑部的长导线
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