US10881867B2 Method for providing a hermetically sealed feedthrough with co-fired filled via for an active implantable medical device

摘要

• 问题:解决MRI环境下植入导线引起的RF加热和电子损坏问题，同时保证馈通低电阻(≤10mΩ)和高密封性(氦漏率≤1×10⁻⁷ cc/s)。
• 方案:采用共烧工艺，用高固体含量(≥80%)铂浆填充通孔(≥90%体积)，控制氧化铝收缩率比铂大14-20%，形成互锁气密界面；精确控制烘烤(400-700°C)、烧结(1400-1900°C)和冷却速率(≤5°C/min)。
• 效果:电阻从体侧到设备侧低于10毫欧(优选低于2毫欧)，氦检漏率≤1×10⁻⁷ cc/s；工艺参数有明确范围(固体含量80-95%、填充90-99%、收缩率差14-20%)。
• 形态:23个权利要求，工艺参数可调(温度、时间、固体含量等)

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US10881867B2/en
• 危害:Hazard-rf-heating
• 危害:Hazard-rf-malfunction