US8849403B2 Active implantable medical system having EMI shielded lead

摘要

  • 问题:MRI射频场在植入导线上感应能量,导致远端电极-组织界面过热,可能造成组织损伤。
  • 方案:在导线外周设置EMI屏蔽层,其近端直接分流到AIMD外壳;可选配分流电容/LC陷波器将能量引至屏蔽层,或串联带阻滤波器提高导线高频阻抗,以抑制RF电流流向远端电极。
  • 效果:未公开定量结果(引用文献中温度上升可达74°C,但本专利未提供自身实测或仿真数据)。
  • 形态:37项权利要求;可调维度包括屏蔽材料(导电聚合物、金属箔、编织网等)、分段屏蔽、分流电路类型(电容、LC陷波)、阻隔电路类型(电感、并联LC带阻)。

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