US8954151B2 RF resistant feedthrough assembly and electrical stimulation systems containing the assembly
摘要
- 问题:MRI强RF场在植入式电刺激系统的馈通引脚与金属壳体间产生寄生电容，提供低阻抗放电通路，导致RF电流流入壳体引起组织加热。
- 方案:在馈通组件的金属法兰与壳体之间加入非导电垫片（如陶瓷）抬高陶瓷块；或采用一体成型带边沿的陶瓷块，使引脚远离壳体；或采用交错排列减小引脚至金属法兰的距离比。
- 效果:非导电垫片高度≥1 mm、2 mm、2.5 mm、3 mm、4 mm或5 mm；引脚间距较至法兰距离小至少10%~50%
- 形态:8条权利要求；可调维度：垫片高度、引脚交错角度、陶瓷块边沿高度等
关联
- 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US8954151B2/en
- 危害:Hazard-rf-heating