US9251960B2 Dual stage EMI filter and offset highly efficient multi-polar active capacitor electrodes for an active implantable medical device

摘要

• 问题:解决MRI环境中植入导线耦合RF能量导致的组织加热及干扰/损坏植入设备内部电子电路的问题。
• 方案:在AIMD气密端子中集成低k（<10）氧化铝基板，嵌入交错有源/接地电极板形成馈通电容器，并在外部或内部附加高k（>1000）MLCC芯片电容器，构成双级滤波器，将高频RF电流分流至壳体。
• 效果:未公开具体定量数据（如温度降低数值），但声称可在宽频段（包括手机等GHz频段）提供充足衰减。
• 形态:85项权利要求；可调维度包括电极板层数、介电常数（<10或>1000）、次级电容器位置（直接贴装或电路板安装）、端子引脚数量等。

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US9251960B2/en
• 危害:Hazard-rf-heating
• 危害:Hazard-rf-malfunction