US9259572B2 Lead or lead extension having a conductive body and conductive body contact
摘要
- 问题：MRI RF 场在植入式导线及延长件中诱导电磁能量，沿刺激导体路径集中形成 RF 致热风险；导线与延长件的机械接头处屏蔽不连续，是已有屏蔽方案的薄弱环节。
- 方案：在导线/延长件体（180）内集成专用导电体（220），该导电体与刺激电路电气隔离，不参与刺激信号传输；通过导电体接触（160，可实现为紧定螺钉 130 或弹性压缩环）实现两项功能：①将导电体接地，使其吸收的 RF 能量向周围组织耗散；②在导线插入延长件时连通两者的导电体，将屏蔽范围从导线远端延伸至延长件近端，消除接头处屏蔽断点。
- 效果：定量数据：无，仅为概念/结构性分析。
- 形态：18 项权利要求，覆盖单独器件（导线/延长件/适配器，权利要求 1–9）、含器件系统（权利要求 10–14）及完整植入系统（导线+延长件，权利要求 15–18）；导电体材料含钛、不锈钢、铂、碳纤维、导电聚合物等；集成方式含嵌入、沉积、共挤出、离子等离子沉积等。
机理与方案
失效机理
MRI RF 场沿植入导线感应分布电流，在导线-电极界面和导线-连接器界面形成局部电流集中，使邻近组织温度升高。对导线整体施加导电屏蔽时，若导线与延长件的机械接头处屏蔽不连续，该处仍存在局部能量集中点。现有方案在刺激电路紧定螺钉外套绝缘靴（非导电保护套）以隔离裸露金属，但这一操作不解决屏蔽连续性问题。
核心结构
两个独立元件共同构成方案（FIG. 10–12）。**导电体（220）**集成于器件体（180）内部，在全长范围内保持均一埋深（权利要求 1 明确约束”same depth within the body over the length”），确保导电体接触在任意插入深度下均能可靠接触。**导电体接触（160）**环绕导电体并在相同埋深处与其物理接触，形成电气连通；该接触件不接入刺激电路任何节点。
功能路径 ① 组织耗散：导电体位于器件外表面附近或直接与体内组织接触（全文描述两种配置均可），吸收的 RF 能量就地向周围组织扩散，不回馈至刺激导体（230）。直接接触配置（导电体黏附于外表面）被描述为可更可靠地保证能量耗散。
功能路径 ② 接地耗散：导电体接触（160）连接至连接块（110）内紧定螺钉（130）或弹性压缩环（Balseal 环），将导电体电气接地，RF 能量经此路径耗散。紧定螺钉（130）在此仅作用于导电体接触而非刺激电路，因此无需在螺钉外套绝缘靴，减少植入操作步骤。
功能路径 ③ 跨接头屏蔽连续性：当导线（含导电体 220）插入延长件（含独立导电体 220’）时，导线的导电体接触（160）与延长件的导电体（220’）形成电气连接（FIG. 5，权利要求 13、15–18），屏蔽范围从导线远端电极区连续延伸至延长件近端连接器区，消除接头处屏蔽断点。在三级系统（导线→延长件→IPG）中，连续导电体链路可将屏蔽延伸至信号发生器壳体（全文定性描述）。
次级机械功能：导电体接触（160）同时提供额外机械载荷路径，将沿轴向作用于连接器的拔出力转移至导电体结构，减轻刺激接触（140）所承受的机械应力（专利内引用同族申请 11/627,532 作为细节参考）。
可选导电体材料：钛、不锈钢、铂（可制成片材、编织物、线材、恒节距或变节距螺旋线圈、箔材、粉末）、金镀微球、固体导电聚合物颗粒、碳粉、碳纤维及本征导电聚合物。集成工艺：嵌入（imbedding）、沉积（depositing）、离子轰击（bombarding）、共挤出（coextruding）、离子等离子沉积（ionic plasma deposition）、电化学沉积（electrochemical deposition）及与 parylene 气相沉积工艺联用。
效果与证据
定量数据：无，仅为概念/结构性分析；全文无 SAR 降低数值、温升实测或电磁场仿真结果，仅有结构性权利要求与定性功能描述，所引参考文献（Baker 2004、Rezai 2002 等）为背景热问题佐证，非本专利自身实验数据。
对我方产品的意义
本专利导电体接触（CBC）跨接头屏蔽连续性方案落于长导线 RF 致热挑战：若我方器件采用含连接器的分段引线架构，则均一埋深导电体加接触环绕的结构设计——在不干扰刺激电路的前提下维持跨连接器屏蔽连续性——可作为我方导线屏蔽完整性方案的结构对标依据，并提示连接器处的屏蔽断点是 RF 热点的优先排查位置。
关联
- 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US9259572B2/en
- 危害:Hazard-rf-heating