US9421359B2 Probe for implantable electro-stimulation device

摘要

• 问题:解决MR扫描时植入式电刺激探头RF致热和刺激回路阻抗问题
• 方案:在探头上集成导电屏蔽层，部分覆盖绝缘层，暴露部分作为返回电极，绝缘层在神经刺激频率（<10kHz）高阻抗、在MR频率（64-128MHz）低阻抗
• 效果:绝缘层厚度1μm时，1kHz阻抗75kΩ，128MHz阻抗1.17Ω
• 形态:权利要求21项，绝缘层厚度可调（1e-7~1e-5m）

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US9421359B2/en
• 危害:Hazard-rf-heating