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US8260435B2 Implantable lead for an active medical device having an inductor design minimizing eddy current losses

摘要

  • 问题:MRI RF 场沿植入导线耦合产生 EMF;RF 电流在导线及远端电极—组织界面沉积热。导线内的带阻滤波器若置入导电屏蔽壳,壳体涡流会改变电感量,使谐振点偏离目标 RF 频率。
  • 方案:将电感磁场轴 217 相对导电壳纵轴 227 定向为 70°–110°;厚膜/芯片电感天然接近这一取向,螺线管电感则以屏蔽前感量预补偿屏蔽后的偏移。
  • 效果:铂铱壳内的螺线管 L-C 原型谐振频率均值由空气中的 59.29 MHz 升至 63.65 MHz;专利报告厚膜构型的频移较小。
  • 形态:52 项权利要求覆盖串入导线的屏蔽电感、并联 L-C 带阻和低通/陷波网络;可装入气密容器、被动固定尖端或主动固定尖端。

原理与方案

标注:引号内英文 = 专利 raw 原文;[推导] = 由专利参数与电路模型推出的结论,非专利原文;[推断] = 按 RF/工艺常识的判断,专利未述;[待确认] = 专利未给、需另行定夺的输入或判断。

失效机理

MRI RF 场的局部切向电场沿导线积分,向导线施加 EMF;导线长度、路径、植入位置和局部组织条件都会改变耦合量。电流可造成导体的 IR 损耗,并在 tip 或 ring 电极—组织界面形成局部欧姆热(FIG. 3)。本篇也指出,同场强与 SAR 下,不同导线的致热可有较大差异;SAR 不能单独预测导线致热。

带阻网络以并联 L-C 串入导线,在设计频率呈高阻抗,限制 RF 电流继续流向远端电极[1]。理想网络的谐振频率由 给出;[推导] 当电容固定、屏蔽使有效电感降低时, 上移,带阻窗口随之偏离 MRI RF 中心频率。

本篇所处理的寄生耦合发生在电感与导电壳之间。螺线管的磁场轴 217 与壳轴 227 平行时,交变磁场在壳壁诱发环向电流,改变线圈磁场储能与有效感量(FIG. 34)。这类壳体电流也构成滤波器的损耗路径;故屏蔽既隔离外来 RF,又可能扰动被屏蔽电感。

缓解机理

将磁场轴 217 转至与壳轴 227 正交可缩小电感—壳体耦合。线绕电感的壳壁电流呈环状,而厚膜电感的模型电流呈管壁上下两处鞍形分布;专利据此判断前者与壳体的相互作用更强(FIG. 45;FIG. 46)。厚膜/芯片电感的磁场轴本就垂直于其安装方向,沿导线轴向安装时满足该正交条件;螺线管则须在壳内旋转安装(FIG. 37)。

【关键图占位|库主定稿时补】FIG. 37 — 线绕电感的磁场轴 217 与导电屏蔽壳纵轴 227 正交的截面结构。

对于仍有残余偏移的构型,专利以屏蔽外第一感量为装配前参数、以屏蔽内第二感量为调谐目标。FIG. 49 的空气中 PSPICE 模型在 FIG. 50 加入线圈—屏蔽壳互感;其预测曲线与 FIG. 48 的经验曲线相符。模型把耦合归结为互感,但未给出互感、壳体高频电阻、壳厚或直径的数值,不能据本文独立复算补偿量。

工程实现

L 与 C 可在基板 162 上端对端排列,却由电路走线 164、166 电气并联;两端经端子 168、170 和气密密封组件 172、174 串入导线(FIG. 20;FIG. 25;FIG. 26)。壳体 160 同时承担气密容器与导电屏蔽;绝缘填充物 188 固定内部组件,涂层 190 隔离金钎焊 182、184,避免带偏压时金迁移损害长期密封。

【关键图占位|库主定稿时补】FIG. 20 — 气密屏蔽容器 158 内的端对端 L、C、基板 162、走线 164/166 与端子组件。

工程取舍

芯片元件可小至 0201 或 01005;专利将心律导线的目标直径举为 6 French,DBS 导线举为 3 French,即约 1 mm。线绕电感可承受较高的短时电流,专利给出 4–8 A 的情形;其代价是与壳体的感量偏移较大。滤波器 Q 还须在谐振阻抗与频率带宽间取舍:降低元件 Q 可展宽衰减带宽,却增加电阻损耗与滤波器自热。

屏蔽可做成局部金属管、绕线、箔或编织网;分段屏蔽可保留导线柔性并打断传输线共振长度。专利列举心脏、神经刺激和耳蜗等应用,但没有将各产品的导线几何、屏蔽位置或电极负载代入同一模型,故不能由本篇判定 DBS 双侧皮层导线的最优布置 [待确认]。

效果与证据

  • 螺线管原型的台架频率测量:FIG. 47 以网络分析仪测量 L-C 带阻原型;电容均为 15.9 pF,组件装在类似 FIG. 24 的电路板。空气中 71 只的谐振频率均值为 59.29 MHz、标准差 0.2486;置入铂铱壳后 100 只的均值为 63.65 MHz、标准差 0.1958。专利报告频移 4.3 MHz(6.8%);在电容不变的假设下反算,感量由 453.2 nH 降至 394.3 nH,即 58.9 nH(约 13%)。

【关键图占位|库主定稿时补】FIG. 47 — 螺线管 L-C 带阻原型在空气与铂铱屏蔽壳内的谐振频率直方图。

  • 构型比较与模型:FIG. 48 为厚膜、线绕或螺线管构型在圆柱金属管内外的阻抗—频率曲线;正文只定性称线绕/螺线管的谐振频率和阻抗变化显著。FIG. 51 报告加入互感后的 PSPICE 频响与 FIG. 48 的经验数据相符。该组比较说明正交的厚膜构型较少受壳体影响,但本文未列出 FIG. 48 各曲线的数值坐标或重复次数。

  • 热安全终点:本篇的定量实验终点为谐振频率、推算感量和阻抗曲线,不是温升;其对远端组织致热的效果由带阻高阻抗间接论证。

严谨性缺口:

  • 无 phantom、ASTM/ISO、动物、体内或临床温升实验,未闭合到 MR-conditional 验证层。
  • FIG. 47 的空气与屏蔽组样本数不同,且未给出壳体尺寸、壁厚、线圈几何、元件公差分配或测试频段,不能将 13% 感量偏移外推至其他壳体。
  • PSPICE 模型未列参数;专利亦明示线圈—壳体的绝对耦合效应难以计算,补偿仍依赖经验调参。
  • 未与其他专利或产品作同条件比较,无法据本篇判定正交定向是否为行业普遍做法。

关联

  1. parallel-lc-resonance——并联 L-C 谐振在串联通路中形成带阻高阻抗的通用原理。