US11351387B2 Method of manufacturing a singulated feedthrough insulator for a hermetic seal of an active implantable medical device incorporating a post conductive paste filled pressing step

摘要

• 问题:解决传统馈通中铂丝昂贵、制造复杂、密封可靠性不足的问题，以及间接改善MRI环境下导线发热和电子干扰对设备的影响。
• 方案:一种制造方法：形成绿色陶瓷基板，钻通孔，填充至少90%固体含量的铂导电膏，干燥后在55°C以上、1000-5000 psi下等静压压制，再烧结形成密封的馈通绝缘体，最后通过金钎焊密封到铁箍。
• 效果:氦气漏率可达≤1×10⁻⁷ std cc He/sec，优选更低；等静压压力3000-5000 psi，温度85°C，时间≥5分钟；28项权利要求覆盖工艺参数。
• 形态:28 claims，包括导电膏固体含量≥90%、压制压力/温度/时间、陶瓷纯度≥96%等可调维度

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US11351387B2/en
• 危害:Hazard-rf-heating
• 危害:Hazard-rf-malfunction