US8761886B2 Controlling effects caused by exposure of an implantable medical device to a disruptive energy field
摘要
- 问题:解决MRI射频场在植入导线上感应能量引起的导线发热、RF整流和器件发热。
- 方案:利用组件寄生电感（如带状键合、导电迹线）与通道电容构成谐振网络，使在MRI工作频率（如128 MHz）下反射能量最小化。
- 效果:未公开/无定量
- 形态:40项权利要求；可调维度：带状键合/迹线长度和宽度、通道电容值。
关联
- 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US8761886B2/en
- 危害:Hazard-rf-heating