US20050070972A1 Energy shunt for producing an MRI-safe implantable medical device
摘要
- 问题:MRI环境中导线感应RF电流导致过度发热，温升可达25°C，威胁周围组织
- 方案:在导线-器械接头处安装分流插件，采用高通滤波器（capacitor为主）阻挡MRI频率（43-128MHz）的RF能量，导向大表面积电极降低电流密度
- 效果:未公开定量效果（给出capacitor参数范围200-47000pF但无温升减少量）
- 形态:45条权利要求；可调维度：capacitor值、inductor值、封装材料（钛/陶瓷）
关联
- 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US20050070972A1/en
- 危害:Hazard-rf-heating