US7853324B2 Tank filters utilizing very low K materials, in series with lead wires or circuits of active medical devices to enhance MRI compatibility

摘要

  • 问题: MRI 射频脉冲在植入式/外部有源医疗器械(AMD)导线中感应电流,导致导线或远端电极尖端(distal TIP)过热,引发组织损伤、消融甚至心律失常;同时 MRI 静态场可使含铁磁材料的电感器饱和并产生图像伪影。
  • 方案: 在导线远端电极(TIP/RING)或沿导线/电路中串联并联 LC TANK 滤波器,谐振于 MRI RF 频率(如 64 MHz/128 MHz),在该频段呈现高阻抗以阻断电流;采用低 k(≤200)陶瓷基板(如氧化铝、NPO、瓷、玻璃)构建电容与电感,保证机械强度与生物相容性,避免铁磁材料以消除图像伪影;支持同轴、矩形、厚膜、多层共烧等多种微型化形态,可单频或多频串联配置,并可与既有馈通电容低通 EMI 滤波器协同使用。
  • 效果: 未公开 / 无定量(专利文本未提供体外或体内实测的温升降低数值、电流衰减 dB 数或 SAR 变化等定量数据)。
  • 形态: 27 项权利要求,79 张附图;涵盖同轴管状、盘状馈通、矩形 MLCC-T、厚膜沉积、芯片电感共贴、主动固定螺旋尖端内嵌、神经刺激电极垫、Bion 器件内部等多种结构形态,并可集成 RFID 标签标识 MRI 兼容性。

机理与方案

失效机理:MRI 环境中存在三种电磁场——静态主磁场 (0.5–3 T 或更高)、脉冲射频场 (由拉莫尔方程 决定,如 1.5 T 对应 64 MHz,3 T 对应 128 MHz)以及时变梯度场 (约 1–2.2 kHz)。植入导线在 RF 场中充当天线,因环面积(平均 200–225 cm²,最大可达 450 cm² 以上)感应出电流;电流在导线远端 TIP 处经欧姆损耗()及组织界面电流产生焦耳热,导致心肌或神经组织热损伤甚至消融。导线长度若与 RF 波长呈分数关系(如 3 T 时 cm, cm 恰在起搏导线长度范围内),耦合效率更高,加热更严重。此外,铁磁芯电感器在 中饱和会导致电感失效并产生 MRI 图像伪影。

技术方案:核心为并联 LC TANK 滤波器(附图标记 146)串联接入导线(图 11、图 17、图 28、图 36、图 38、图 43、图 45 等)。理想并联 TANK 在谐振频率 处阻抗趋于无穷大,阻断该频率电流。谐振频率由 决定,其中 为电感(H), 为电容(F)。以 64 MHz、 nH 为例,所需电容 pF(图 12)。

为兼顾多场强 MRI 兼容性,采用中等 Q 设计:选用高 Q 电感(低串联电阻 )与低 Q 电容(较高等效串联电阻 ESR)组合,使 3 dB 带宽展宽,可覆盖 64 MHz 与 128 MHz 等多个频点(图 24,曲线 164),同时避免过高 Q 导致制造容差及老化漂移(典型 MLCC 每十年衰减约 2%)使谐振点偏移失效。电感 需尽量低(<1 Ω 量级),以保证 10 Hz–1 kHz 生物信号及起搏脉冲低损耗通过;电容 ESR 可适当提高以展宽阻带,但需平衡避免整体阻抗峰值过低。

结构实现

  • 同轴管状/盘状馈通型(图 32、35、37、42、44、68–76):电容为单层/多层管状或盘状馈通电容(标记 168、184、220),内嵌或外绕螺旋电感(标记 208、380),导线不连续穿过电容,电感并联跨接在电容两端。采用低 k(,优选氧化铝 、NPO 、瓷 )陶瓷,保证可承受金钎焊及植入扭矩。
  • 矩形 MLCC-T 型(图 80–92、图 142–144):在多层陶瓷电容(MLCC)顶部或内部嵌入蜿蜒电感层(标记 346、354),共烧为单块,外观与常规 MLCC 相同,端面金属化(336、338)直接接入导线。
  • 厚膜/薄膜沉积型(图 133–140):在氧化铝等低 k 基板上逐层丝印绝缘层、电感层(484)、电容电极层(488、492),高温烧结形成整体。
  • 主动固定螺旋尖端内嵌型(图 147–159):TANK 滤波器(标记 646、714、720)置于螺旋固定电极(helix 632)的金属壳体(630)内部,通过金钎焊(756、760)或激光焊与传动轴(spline 634)及螺旋底座(758)连接,可设置中心孔(103)供导丝通过(图 167–169)。
  • 多频串联配置(图 22、图 50):多个 TANK 分别谐振于不同 MRI 频率(如 21 MHz/0.5 T、64 MHz/1.5 T、128 MHz/3 T),串联实现宽频保护。
  • 与既有 EMI 滤波器协同(图 162–166、图 172):在 AIMD 馈通处保留宽带低通馈通电容(120),在远端 TIP 或导线中段增设 TANK,形成分级防护。

调谐方法:制造后可通过微喷砂(图 119–121)或激光修刻(图 123–124)去除部分电容电极板面积以降低 ,或短路/开路电感匝数以调整 ,使 精确对准目标 MRI 频率。

效果与证据

定量数据:无,仅为概念/分析。专利全文未提供任何体外或体内实验的温升测量、RF 电流衰减实测值、SAR 降低比例、组织损伤阈值对比或仿真曲线数据;仅给出理论推导的阻抗公式、Q 值与带宽权衡分析、以及一组 P-Spice 建模示例参数( pF、ESR = 10 Ω、 nH、 Ω,声称谐振阻抗 > 50 Ω),但未提供实际验证结果或图表数据。

对我方产品的意义

编目级(Tier2),§对我方产品的意义 见同簇代表件深卡。

关联