US6795730B2 MRI-resistant implantable device

摘要

• 问题:MRI(静磁7T、梯度50T/s、RF脉冲)产生的EMI引发DDD起搏器和PCD除颤器误动作或完全失效,患者无法进行MRI诊断
• 方案:双模块独立屏蔽(碳纤维+非磁性钛)+感应阈值(3V)+光学隔离通信,主模块失效时次模块自动failsafe备份VOO模式
• 效果:未公开定量;fail-safe备份在MRI期间维持基本心脏起搏(VOO无感应无触发模式),但诊断和起搏灵活性受限
• 形态:7+ Claims;可调维度:屏蔽厚度(1-3mm)、EMI阈值(3V)、静磁场强度(up to 7T)、梯度速率(up to 50T/s)、光学窗口厚度

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US6795730B2/en
• 危害:Hazard-b0-malfunction
• 危害:Hazard-rf-malfunction
• 危害:Hazard-gradient-malfunction