US10589090B2 Implantable stimulator device with magnetic field sensing circuit

摘要

• 问题:MRI强静磁场(B0)可能使IPG的磁芯电感饱和，导致boost电路输出的V+电压异常升高，可能损坏电路或导致功能紊乱
• 方案:利用boost电路中磁芯电感在强磁场下饱和导致电感值急剧下降的特性，通过检测V+电压的意外升高来判定IPG处于MRI磁场中，并自动激活MRI-safe模式（停止刺激或提高V+）
• 效果:未定量，给出了通过阈值判定（如3V）启动MRI-safe模式的定性描述
• 形态:16个权利要求，可调维度：B0磁场检测灵敏度（阈值设定）和MRI-safe模式响应策略（停止刺激或提高V+）

关联

• 原文(Google Patents):https://patents.google.com/patent/US10589090B2/en
• 危害:Hazard-b0-malfunction